Vol. 44 No. 1 (2007)   新製品·新技術特集
技術論文
半導体製造工程の大幅削減を可能とするMCR-CVD 成膜装置

Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition for Advanced Metallization
小椋　謙
Yuzuru Ogura
八幡直樹
Naoki Yahata
坂本仁志
Hitoshi Sakamoto
小椋　謙
八幡直樹
坂本仁志
高密度塩素プラズマを用いて金属薄膜を形成する塩化金属還元気相成長(MCR-CVD：Metal ChlorideReduction Chemical Vapor Deposition)は当社が独自に開発した金属成膜法であり,半導体製造分野の次世代技術として期待されている.
MCR-CVD は高密度プラズマ中の電荷を持たない塩素ラジカルを利用する成膜法であるため,低温成膜が可能で基板へのダメージを最低限に抑制することができる.また,塩素ガスと固体金属のみを原料とし,金属錯体等の特殊な原料を必要としないために,設備が単純で,ランニングコストを低減できる利点を有する.更にこうした基本特性に加え,MCR-CVD は膜組成制御の容易性や微細なホール,トレンチの底部から順次成長するボトムアップ成膜が可能であるなどの特徴を備えており,これらにより LSI 製造のコスト要因となっている複雑な工程の大幅な削減を実現する新技術である.本稿では MCR-CVD の備えるこれらの特徴を紹介する.