Vol. 40 No. 6 (2003)   先進技術特集
特集　技術論文
次世代半導体配線プロセス用メタル成膜装置

Metal CVD for Interconnect Process in Next Semiconductor Devices
坂本仁志
Hitoshi Sakamoto
小椋　謙
Yuzuru Ogura
大庭義行
Yoshiyuki Ooba
八幡直樹
Naoki Yahata
西森年彦
Toshihiko Nishimori
坂本仁志
小椋　謙
大庭義行
八幡直樹
西森年彦
塩素プラズマを用いた新しい金属成膜法について報告する.この手法は,金属表面をエッチングし,原料として塩化金属を発生させるステージと,その原料が吸着した基板表面から塩素を引き抜くステージからなる.いずれのステージにおいても,塩素プラズマによって発生した原子状塩素が,成膜反応における主役を演じる.本手法により,銅は118 nm/minの速度で成膜され,抵抗率2.0μΩ·cm,塩素含有量15 ppmを示した.また,微細パターンへの埋め込みに対して銅膜はボトムアップ的成長を呈し,タンタルとともに将来的な半導体配線プロセスへの適用可能性を示した.